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GermanyGPA020A135MN-FD
元器件型号详细信息
原厂型号
GPA020A135MN-FD
摘要
IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
详情
IGBT 沟槽型场截止 1350 V 40 A 223 W 通孔 TO-3PN
原厂/品牌
SemiQ
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
SemiQ
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
1350 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V，20A
功率 - 最大值
223 W
开关能量
2.5mJ（开），760µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
180 nC
25°C 时 Td（开/关）值
25ns/175ns
测试条件
600V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
425 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3PN
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
1560-1217-2-ND
1560-1217-1-ND
1560-1217-2INACTIVE
1560-1217-1
1560-1217-2
1560-1217-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/SemiQ GPA020A135MN-FD
相关文档
规格书
1(GPA020A135MN-FD)
PCN 产品变更/停产
1(DK OBS NOTICE)
价格
-
替代型号
-