元器件型号详细信息

原厂型号
BUK7E07-55B,127
摘要
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
详情
通孔 N 通道 55 V 75A(Tc) 203W(Tc) I2PAK
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.1 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
53 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3760 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
203W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
I2PAK
封装/外壳
TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
基本产品编号
BUK7

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

954-BUK7E07-55B127
934061495127
BUK7E07-55B,127-ND
BUK7E0755B127
NEXNXPBUK7E07-55B,127
568-5722
568-5722-ND
2156-BUK7E07-55B127-NX
568-5722-5

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/NXP USA Inc. BUK7E07-55B,127

相关文档

规格书
1(BUK7E07-55B)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 29/Dec/2014)
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(BUK7E07-55B)

价格

-

替代型号

型号 : STI270N4F3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 888
单价. : ¥35.38000
替代类型. : 类似
型号 : IPI80N06S407AKSA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥15.10000
替代类型. : 类似
型号 : NP60N055NUK-S18-AY
制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : IRF3205ZLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 4,000
单价. : ¥13.44000
替代类型. : 类似