SISS23DN-T1-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SISS23DN-T1-GE3

摘要

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

详情

表面贴装型 P 通道 20 V 50A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK® 1212-8S

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

99 周

EDA/CAD 模型

标准包装

3,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

包装

卷带（TR）

Product Status

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

50A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

1.8V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

4.5 毫欧 @ 20A，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

300 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

8840 pF @ 15 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

4.8W（Ta），57W（Tc）

工作温度

-50°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8S

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8S

基本产品编号

SISS23

其它名称

SISS23DN-T1-GE3CT

SISS23DN-T1-GE3DKR

SISS23DN-T1-GE3TR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SISS23DN-T1-GE3

价格

数量: 3000

单价: $2.64697
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000

数量: 1000

单价: $2.92084
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $3.65108
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.6187
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.026
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $6.84
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $2.92084
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $3.65108
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $4.6187
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.026
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $6.84
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : AON7421

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 257,005
单价. : ¥8.90000
替代类型. : 类似

型号 : AON7423

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 50,691
单价. : ¥7.63000
替代类型. : 类似

326-91-148-41-002000 SXT11410BB16-25.000M 7419-C-1032-B RN73H2ETTD9100B10 MBR20L120CTHC0G

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