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GermanyIPB023N06N3GATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB023N06N3GATMA1
摘要
MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 140A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-7
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 141µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
198 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
16000 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
214W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-7
封装/外壳
TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
基本产品编号
IPB023N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPB023N06N3G
IPB023N06N3 GDKR
IPB023N06N3GATMA1TR
SP000453048
IPB023N06N3 GCT
IPB023N06N3 GDKR-ND
IPB023N06N3GATMA1CT
IPB023N06N3 G-ND
IPB023N06N3 G
IPB023N06N3GATMA1DKR
IPB023N06N3 GCT-ND
IPB023N06N3 GTR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB023N06N3GATMA1
相关文档
规格书
1(IPB023N06N3 G)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 26/Jul/2012)
HTML 规格书
1(IPB023N06N3 G)
价格
-
替代型号
型号 : IPB017N06N3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥29.18000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥29.18000
替代类型. : 直接
型号 : IRFS7534TRL7PP
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 45
单价. : ¥26.47000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥26.47000
替代类型. : 类似
型号 : IRLS3036TRL7PP
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 6,741
单价. : ¥31.88000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥31.88000
替代类型. : 类似
型号 : IRFS3006TRL7PP
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 7,746
单价. : ¥46.27000
替代类型. : 类似
库存 : 7,746
单价. : ¥46.27000
替代类型. : 类似