元器件型号详细信息

原厂型号
FDB86135
摘要
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 75A(Tc) 2.4W(Ta),227W(Tc) D²PAK(TO-263)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
28 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800

技术参数

制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.5 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
116 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7295 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.4W(Ta),227W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
FDB861

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FDB86135TR
FDB86135-ND
FDB86135DKR
FDB86135CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FDB86135

相关文档

规格书
1(FDB86135)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Multiple Parts 23/Jun/2022)
PCN 封装
()

价格

数量: 800
单价: $33.57274
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 800
数量: 100
单价: $39.4379
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $48.137
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $53.58
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $39.4379
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $48.137
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $53.58
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IPB020N10N5ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,395
单价. : ¥58.35000
替代类型. : 直接