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GermanyIRLB3036PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLB3036PBF
摘要
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
详情
通孔 N 通道 60 V 195A（Tc） 380W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
195A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 165A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
140 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11210 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
380W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRLB3036
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001568396
64-0100PBF
64-0100PBF-ND
IRLB3036PBF-ND
448-IRLB3036PBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLB3036PBF
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规格书
1(IRLB3036)
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1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
设计资源
1(IRLB3036PBF Saber Model)
特色产品
()
HTML 规格书
1(IRLB3036)
EDA 模型
1(IRLB3036PBF by SnapEDA)
仿真模型
1(IRLB3036PBF Spice Model)
价格
数量: 2000
单价: $18.009
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $18.95686
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $22.4774
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $26.404
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $32.229
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $35.85
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-