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GermanyRJH65T04BDPMA0#T2F
元器件型号详细信息
原厂型号
RJH65T04BDPMA0#T2F
摘要
IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
详情
IGBT 沟道 650 V 60 A 65 W 通孔 TO-3PFP
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
18 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.95V @ 15V，30A
功率 - 最大值
65 W
开关能量
360µJ（开），350µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
74 nC
25°C 时 Td（开/关）值
35ns/125ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
80 ns
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
SC-94
供应商器件封装
TO-3PFP
基本产品编号
RJH65T04
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Renesas Electronics America Inc RJH65T04BDPMA0#T2F
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规格书
1(RJH65T04BDPM-A0)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
价格
数量: 1000
单价: $30.58868
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
包装: 管件
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