元器件型号详细信息

原厂型号
IPB50N10S3L16ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 50A(Tc) 100W(Tc) PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
15.4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 60µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
64 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4180 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
100W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
基本产品编号
IPB50N10

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IPB50N10S3L-16INCT-ND
IPB50N10S3L-16INCT
IPB50N10S3L16
IPB50N10S3L16ATMA1DKR
SP000386183
IPB50N10S3L-16INDKR-ND
IPB50N10S3L-16
IPB50N10S3L16ATMA1TR
IPB50N10S3L-16INTR
IPB50N10S3L16ATMA1CT
IPB50N10S3L-16INDKR
IPB50N10S3L-16-ND
IPB50N10S3L-16INTR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPB50N10S3L16ATMA1

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仿真模型
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价格

数量: 5000
单价: $8.461
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000
数量: 2000
单价: $8.78643
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最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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型号 : PSMN015-100B,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,583
单价. : ¥16.77000
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