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元器件型号详细信息
原厂型号
APT40GP60SG
摘要
IGBT 600V 100A 543W D3PAK
详情
IGBT PT 600 V 100 A 543 W 表面贴装型 D3 [S]
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
POWER MOS 7®
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.7V @ 15V，40A
功率 - 最大值
543 W
开关能量
385µJ（开），352µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
135 nC
25°C 时 Td（开/关）值
20ns/64ns
测试条件
400V，40A，5 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商器件封装
D3 [S]
基本产品编号
APT40GP60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
APT40GP60SG-ND
150-APT40GP60SG
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Microsemi Corporation APT40GP60SG
相关文档
规格书
1(APT40GP60(B,S))
环保信息
()
HTML 规格书
1(APT40GP60(B,S))
价格
-
替代型号
-