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GermanySTH260N6F6-6
元器件型号详细信息
原厂型号
STH260N6F6-6
摘要
MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 180A（Tc） 300W（Tc） H2PAK-6
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
183 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H2PAK-6
封装/外壳
TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
基本产品编号
STH260
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
STH260N6F6-6-ND
497-15144-1
497-15144-2
497-15144-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STH260N6F6-6
相关文档
规格书
1(STH260N6F6-6)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
价格
-
替代型号
型号 : IPB017N06N3GATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥30.61000
替代类型. : 类似
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