CSD19532Q5BT

元器件型号详细信息

原厂型号

CSD19532Q5BT

摘要

MOSFET N-CH 100V 100A 8VSON

详情

表面贴装型 N 通道 100 V 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON-CLIP（5x6）

原厂/品牌

Texas Instruments

原厂到货时间

6 周

EDA/CAD 模型

标准包装

250

供应商库存

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技术参数

制造商

Texas Instruments

系列

NexFET™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

6V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

4.9 毫欧 @ 17A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

62 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

4810 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3.1W（Ta），195W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-VSON-CLIP（5x6）

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

CSD19532

其它名称

296-44471-6

296-44471-2

296-44471-1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD19532Q5BT

价格

数量: 6250

单价: $10.83425
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250

数量: 2500

单价: $11.25748
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250

数量: 1250

单价: $11.84994
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250

数量: 500

单价: $14.05066
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250

数量: 250

单价: $15.65876
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 250

数量: 100

单价: $16.5056
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $20.145
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $22.42
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $16.5056
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $20.145
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $22.42
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : FDMS039N08B

制造商 : onsemi
库存 : 7,032
单价. : ¥19.56000
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型号 : FDMS10C4D2N

制造商 : onsemi
库存 : 1,600
单价. : ¥24.25000
替代类型. : 类似

EWT100JB100R 380-10-157-00-001000 516-056-501-402 AD7543KR-REEL NMP1K2-CCK#CH-01

CSD19532Q5BT

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