元器件型号详细信息

原厂型号
NTMFS4119NT1G
摘要
MOSFET N-CH 30V 11A 5DFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 11A(Ta) 900mW(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.5 毫欧 @ 29A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
60 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4800 pF @ 24 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
900mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线
基本产品编号
NTMFS4

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

NTMFS4119NT1GOSTR
2156-NTMFS4119NT1G
NTMFS4119NT1G-ND
ONSONSNTMFS4119NT1G
NTMFS4119NT1GOSCT
2156-NTMFS4119NT1G-ONTR-ND
=NTMFS4119NT1GOSCT-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTMFS4119NT1G

相关文档

规格书
1(NTMFS4119N)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
()
HTML 规格书
1(NTMFS4119N)

价格

-

替代型号

型号 : PSMN3R0-30YL,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 1,603
单价. : ¥10.57000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN3R5-30YL,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 7,138
单价. : ¥9.54000
替代类型. : 类似