元器件型号详细信息

原厂型号
CMG06A,LQ(M
摘要
DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
详情
二极管 600 V 1A 表面贴装型 M-FLAT(2.4x3.8)
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
产品状态
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
600 V
电流 - 平均整流 (Io)
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 1 A
速度
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
5 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOD-128
供应商器件封装
M-FLAT(2.4x3.8)
工作温度 - 结
150°C

相关信息

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

264-CMG06A,LQ(M
264-CMG06ALQ(M
264-CMG06A,LQ(M-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Toshiba Semiconductor and Storage CMG06A,LQ(M

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规格书
1(CMG06A)

价格

-

替代型号

-