元器件型号详细信息

原厂型号
MT47H512M8WTR-25E:C TR
摘要
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGA
详情
SDRAM - DDR2 存储器 IC 4Gb 并联 400 MHz 400 ps 63-FBGA(9x11.5)
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - DDR2
存储容量
4Gb
存储器组织
512M x 8
存储器接口
并联
时钟频率
400 MHz
写周期时间 - 字,页
15ns
访问时间
400 ps
电压 - 供电
1.7V ~ 1.9V
工作温度
0°C ~ 85°C(TC)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
63-TFBGA
供应商器件封装
63-FBGA(9x11.5)
基本产品编号
MT47H512M8

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0036

其它名称

MT47H512M8WTR-25E:C TR-ND
MT47H512M8WTR-25E:CTR

所属分类/目录

/产品索引 /集成电路(IC)/存储器/存储器/Micron Technology Inc. MT47H512M8WTR-25E:C TR

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PCN 封装
()
HTML 规格书
1(MT47H1G4, MT47H512M8)
EDA 模型
1(MT47H512M8WTR-25E:C TR by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : MT47H128M8SH-25E:M TR
制造商 : Micron Technology Inc.
库存 : 0
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替代类型. : 参数等效
型号 : MT47H256M8EB-25E:C TR
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库存 : 0
单价. : ¥90.74814
替代类型. : 参数等效
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库存 : 0
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库存 : 0
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