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GermanyBSC079N03SG
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC079N03SG
摘要
MOSFET N-CH 30V 14.6A/40A TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 14.6A（Ta），40A（Tc） 2.8W（Ta），60W（Tc） PG-TDSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14.6A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.9 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 30µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
17 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2230 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），60W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSC079N03SGINCT-NDR
BSC079N03SGINTR
INFINFBSC079N03SG
BSC079N03SGAUMA1
BSC079N03SGXTINTR
2156-BSC079N03SG
BSC079N03SGXTINCT-ND
BSC079N03SGXTINTR-ND
SP000016414
BSC079N03SGINCT
BSC079N03SGINTR-NDR
BSC079N03SGXT
BSC079N03SGXTINCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC079N03SG
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规格书
1(BSC079N03S G)
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1(Multiple Devices 11/Dec/2009)
HTML 规格书
1(BSC079N03S G)
价格
数量: 500
单价: $5.2267
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $5.5647
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $6.352
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $7.71
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : BSC080N03LSGATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 16,117
单价. : ¥6.60000
替代类型. : 直接
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型号 : CSD17302Q5A
制造商 : Texas Instruments
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型号 : CSD17527Q5A
制造商 : Texas Instruments
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单价. : ¥9.30000
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型号 : CSD17522Q5A
制造商 : Texas Instruments
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