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GermanyBSC080N03LSGATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC080N03LSGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 30V 14A/53A TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8-5
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Ta），53A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1700 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），35W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-5
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC080
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSC080N03LSGATMA1TR
BSC080N03LSGINTR-ND
BSC080N03LSG
BSC080N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC080N03LSGINCT
BSC080N03LSGATMA1DKR-NDTR-ND
BSC080N03LSGATMA1DKR
BSC080N03LSGINDKR-ND
BSC080N03LSGXT
SP000275114
BSC080N03LSGATMA1CT
INFINFBSC080N03LSGATMA1
BSC080N03LSGINDKR
BSC080N03LSGINCT-ND
BSC080N03LSGINTR
BSC080N03LS G
2156-BSC080N03LSGATMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC080N03LSGATMA1
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1(Assembly Site Add 20/Jun/2016)
PCN 封装
()
PCN 其他
1(Multiple Changes 09/Jul/2014)
HTML 规格书
1(BSC080N03LS G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 30V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 25000
单价: $2.208
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
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最小包装数量: 5000
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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包装: 剪切带（CT）
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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制造商 : Texas Instruments
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单价. : ¥9.62000
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库存 : 6,773
单价. : ¥7.23000
替代类型. : 类似
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型号 : AON6414AL
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库存 : 3
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型号 : CSD17307Q5A
制造商 : Texas Instruments
库存 : 3,527
单价. : ¥6.60000
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型号 : STL65N3LLH5
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型号 : PJQ5420_R2_00001
制造商 : Panjit International Inc.
库存 : 0
单价. : ¥1.58361
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型号 : CSD17551Q5A
制造商 : Texas Instruments
库存 : 13,332
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替代类型. : 类似
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