English
Spain
Rusia
Italy
GermanyGWS4621L
元器件型号详细信息
原厂型号
GWS4621L
摘要
MOSFET 2N-CH
详情
MOSFET - 阵列 20V 10.1A（Ta） 3.6W（Ta） 表面贴装型 4-WLCSP（1.82x1.82）
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
散装
Product Status
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）共漏
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.1A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.8 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11nC @ 4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1125pF @ 10V
功率 - 最大值
3.6W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
4-XFLGA，CSP
供应商器件封装
4-WLCSP（1.82x1.82）
基本产品编号
GWS46
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Renesas Electronics America Inc GWS4621L
相关文档
规格书
1(GWS4621L)
PCN 封装
1(Label Change-All Devices 01/Dec/2022)
HTML 规格书
1(GWS4621L)
价格
-
替代型号
-