元器件型号详细信息

原厂型号
MMBT6517LT1G
摘要
TRANS NPN 350V 0.1A SOT23-3
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN 350 V 100 mA 200MHz 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
350 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
1V @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)
50nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
20 @ 50mA,10V
功率 - 最大值
225 mW
频率 - 跃迁
200MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
基本产品编号
MMBT6517

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

MMBT6517LT1GOSCT
MMBT6517LT1GOSDKR
MMBT6517LT1GOSTR
MMBT6517LT1GOS-ND
MMBT6517LT1GOS

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/单双极晶体管/onsemi MMBT6517LT1G

相关文档

规格书
1(MMBT6517LT1, 3)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(EOL 26/May/2016)
PCN 设计/规格
1(Glue Mount Process 11/July/2008)
HTML 规格书
1(MMBT6517LT1, 3)
EDA 模型
1(MMBT6517LT1G by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

型号 : FJV42MTF
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