FQB50N06LTM

元器件型号详细信息

原厂型号

FQB50N06LTM

摘要

MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 52.4A（Tc） 3.75W（Ta），121W（Tc） D²PAK（TO-263）

原厂/品牌

onsemi

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

800

供应商库存

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技术参数

制造商

onsemi

系列

QFET®

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

52.4A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

21 毫欧 @ 26.2A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

32 nC @ 5 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1630 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3.75W（Ta），121W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D²PAK（TO-263）

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

FQB50N06

其它名称

FQB50N06LTMFSTR

FQB50N06LTMFSDKR

FQB50N06LTM-ND

FQB50N06LTMFSCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQB50N06LTM

价格

-

替代型号

型号 : STB55NF06T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥20.51000
替代类型. : 类似

型号 : IRFZ48STRLPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 667
单价. : ¥17.49000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN004-60B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 5,462
单价. : ¥27.11000
替代类型. : 类似

型号 : STB55NF06LT4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 80
单价. : ¥16.85000
替代类型. : 类似

型号 : IRFS3806TRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 22,546
单价. : ¥11.77000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN015-60BS,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥10.81000
替代类型. : 类似

型号 : PSMN005-75B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,800
单价. : ¥22.74000
替代类型. : 类似

型号 : STB80NF10T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥27.51000
替代类型. : 类似

型号 : STB60NF06T4

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥16.93000
替代类型. : 类似

K21KAC-P06LFG0-350S CLT-125-02-LM-D 342452-5 ESQT-104-02-L-D-410 LNK305DG-TL

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