元器件型号详细信息

原厂型号
IRLML6302TRPBF
摘要
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 780mA(Ta) 540mW(Ta) Micro3™/SOT-23
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
780mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
600 毫欧 @ 610mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.6 nC @ 4.45 V
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
97 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
540mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
IRLML6302

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

IRLML6302GTRPBF
SP001574060
IRLML6302PBFDKR
*IRLML6302TRPBF
IRLML6302GTRPBFCT
IRLML6302GTRPBFTR
IRLML6302GTRPBFTR-ND
IRLML6302GTRPBF-ND
IRLML6302PBFTR
SP001550492
IRLML6302GTRPBFCT-ND
IRLML6302PBFCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRLML6302TRPBF

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PCN 设计/规格
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PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Site Chg 18/Dec/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(IRLML6302PbF)
EDA 模型
1(IRLML6302TRPBF by Ultra Librarian)
仿真模型
1(IRLML6302 Spice Model)

价格

数量: 75000
单价: $0.9306
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 30000
单价: $0.96695
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 15000
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $2.3268
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $3.418
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 剪切带(CT)
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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