English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNVB5860NT4G
元器件型号详细信息
原厂型号
NVB5860NT4G
摘要
MOSFET N-CH 60V 220A D2PAK-3
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 220A（Tc） 283W（Tc） D²PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
180 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10760 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
283W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
NVB586
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-NVB5860NT4G-ONTR-ND
2156-NVB5860NT4G
ONSONSNVB5860NT4G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NVB5860NT4G
相关文档
规格书
1(NTB/NTP5860N)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 24/Jul/2015)
HTML 规格书
1(NTB/NTP5860N)
EDA 模型
1(NVB5860NT4G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : BUK964R2-55B,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 0
单价. : ¥16.06000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥16.06000
替代类型. : 类似
型号 : PHB191NQ06LT,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 725
单价. : ¥24.09000
替代类型. : 类似
库存 : 725
单价. : ¥24.09000
替代类型. : 类似
型号 : SQM120N06-3M5L_GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 0
单价. : ¥33.87000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥33.87000
替代类型. : 类似