English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIXFN80N60P3
元器件型号详细信息
原厂型号
IXFN80N60P3
摘要
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
详情
底座安装 N 通道 600 V 66A（Tc） 960W（Tc） SOT-227B
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
50 周
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™, Polar3™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
66A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
70 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
190 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13100 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
960W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227B
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
基本产品编号
IXFN80
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS IXFN80N60P3
相关文档
规格书
1(IXFN80N60P3)
HTML 规格书
1(IXFN80N60P3)
价格
数量: 100
单价: $200.2477
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $234.498
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $254.24
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-