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GermanyDMN3012LFG-13
元器件型号详细信息
原厂型号
DMN3012LFG-13
摘要
MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
详情
MOSFET - 阵列 30V 20A（Tc） 2.2W 表面贴装型 PowerDI3333-8
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 毫欧 @ 15A，5V，6 毫欧 @ 15A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA，1.15V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.1nC @ 4.5V，12.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
850pF @ 15V，1480pF @ 15V
功率 - 最大值
2.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerLDFN
供应商器件封装
PowerDI3333-8
基本产品编号
DMN3012
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Diodes Incorporated DMN3012LFG-13
相关文档
规格书
1(DMN3012LFG)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices EOL 05/Feb/2019)
价格
-
替代型号
型号 : CSD87350Q5D
制造商 : Texas Instruments
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