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GermanyHGT1S20N60C3S9A
元器件型号详细信息
原厂型号
HGT1S20N60C3S9A
摘要
IGBT 600V 45A TO263AB
详情
IGBT 600 V 45 A 164 W 表面贴装型 D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
45 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.8V @ 15V，20A
功率 - 最大值
164 W
开关能量
295µJ（开），500µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
91 nC
25°C 时 Td（开/关）值
28ns/151ns
测试条件
480V，20A，10 欧姆，15V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
基本产品编号
HGT1S20
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
HGT1S20N60C3S9AOSTR
ONSONSHGT1S20N60C3S9A
HGT1S20N60C3S9AOSCT
HGT1S20N60C3S9A-ND
HGT1S20N60C3S9AOSDKR
2156-HGT1S20N60C3S9A-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi HGT1S20N60C3S9A
相关文档
规格书
1(HGT(G,P)20N60C3, HGT1S20N60C3S)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 8/Apr/2021)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly/Material Chgs 15/Mar/2018)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(HGT(G,P)20N60C3, HGT1S20N60C3S)
价格
-
替代型号
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