元器件型号详细信息

原厂型号
NTMS4916NR2G
摘要
MOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOIC
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 7.8A(Ta) 890mW(Ta) 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1376 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
890mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
基本产品编号
NTMS4916

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

2156-NTMS4916NR2G-OS
NTMS4916NR2G-ND
NTMS4916NR2GOSTR
ONSONSNTMS4916NR2G

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTMS4916NR2G

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规格书
1(NTMS4916N)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 08/Jul/2021)
PCN 封装
1(Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018)
HTML 规格书
1(NTMS4916N)
EDA 模型
1(NTMS4916NR2G by Ultra Librarian)

价格

数量: 1000
单价: $2.98121
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $3.7762
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $4.5712
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $5.867
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $6.52
包装: 剪切带(CT)
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最小包装数量: 1

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库存 : 0
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库存 : 0
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