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GermanyCSD25303W1015
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD25303W1015
摘要
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 3A（Tc） 1.5W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
58 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
435 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-DSBGA（1x1.5）
封装/外壳
6-UFBGA，DSBGA
基本产品编号
CSD2530
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-CSD25303W1015-TITR
-296-28317-1-ND
-CSD25303W1015-NDR
296-28317-6
296-28317-2
TEXTISCSD25303W1015
296-28317-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD25303W1015
相关文档
规格书
1(CSD25303W1015)
产品培训模块
1(NexFET MOSFET Technology)
视频文件
1(PowerStack™ Packaging Technology Overview)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 20/Feb/2014)
PCN 封装
1(DSBGA-6L Carrier Tape Change 28/Oct/2013)
HTML 规格书
1(CSD25303W1015)
EDA 模型
1(CSD25303W1015 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : CSD25304W1015
制造商 : Texas Instruments
库存 : 0
单价. : ¥3.97000
替代类型. : 直接
库存 : 0
单价. : ¥3.97000
替代类型. : 直接