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GermanySPW20N60C3FKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
SPW20N60C3FKSA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO247-3
详情
通孔 N 通道 650 V 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 13.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
114 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
208W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SPW20N60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-SPW20N60C3FKSA1
SPW20N60C3IN-NDR
SPW20N60C3XK
SPW20N60C3IN-ND
SP000013729
SPW20N60C3
SPW20N60C3FKSA1-ND
SPW20N60C3IN
448-SPW20N60C3FKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPW20N60C3FKSA1
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HTML 规格书
1(SPW20N60C3)
EDA 模型
1(SPW20N60C3 by Ultra Librarian)
仿真模型
1(CoolMOS™ PowerMOSFET 600V C3 Spice Model)
价格
数量: 2000
单价: $28.91948
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $30.03178
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $34.481
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $39.5977
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $47.825
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $52.94
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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