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GermanyLND150N3-G-P003
元器件型号详细信息
原厂型号
LND150N3-G-P003
摘要
MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
详情
通孔 N 通道 500 V 30mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1000 欧姆 @ 500µA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10 pF @ 25 V
FET 功能
耗尽模式
功率耗散（最大值）
740mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
基本产品编号
LND150
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
LND150N3-G-P003CT
LND150N3-G-P003-ND
LND150N3-G-P003TR
LND150N3-G-P003DKR-ND
LND150N3-G-P003DKRINACTIVE
LND150N3-G-P003DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Microchip Technology LND150N3-G-P003
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环保信息
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Fab Site Addition 14/Aug/2014)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(LND150)
EDA 模型
1(LND150N3-G-P003 by Ultra Librarian)
价格
数量: 100
单价: $3.0208
包装: -
最小包装数量: 1
包装: -
最小包装数量: 1
数量: 25
单价: $3.2592
包装: -
最小包装数量: 1
包装: -
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数量: 1
单价: $3.97
包装: -
最小包装数量: 1
包装: -
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $4.13379
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2000
数量: 100
单价: $4.1338
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 25
单价: $4.3724
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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单价: $5.41
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替代型号
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