English
Spain
Rusia
Italy
GermanyVQ1001P
元器件型号详细信息
原厂型号
VQ1001P
摘要
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
详情
MOSFET - 阵列 30V 830mA 2W 通孔 14-DIP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
4 个 N 通道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
830mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.75 欧姆 @ 200mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
110pF @ 15V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
-
供应商器件封装
14-DIP
基本产品编号
VQ1001
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Vishay Siliconix VQ1001P
相关文档
规格书
1(VQ1001J/P)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Device OBS Update 15/May/2017)
价格
-
替代型号
-