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元器件型号详细信息
原厂型号
VMO1200-01F
摘要
MOSFET N-CH 100V 1220A Y3-LI
详情
底座安装 N 通道 100 V 1220A（Tc） Y3-Li
原厂/品牌
IXYS
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
IXYS
系列
HiPerFET™
包装
托盘
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1220A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.35 毫欧 @ 932A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 64mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2520 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
Y3-Li
封装/外壳
Y3-Li
基本产品编号
VMO1200
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/IXYS VMO1200-01F
相关文档
规格书
1(VMO1200-01F)
PCN 产品变更/停产
1(OBS NOTICE 27/Mar/2023)
HTML 规格书
1(VMO1200-01F)
价格
数量: 10
单价: $1347.365
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $1352.04
包装: 托盘
最小包装数量: 1
包装: 托盘
最小包装数量: 1
替代型号
-