元器件型号详细信息

原厂型号
SI3429EDV-T1-GE3
摘要
MOSFET P-CH 20V 8A/8A 6TSOP
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 8A(Ta),8A(Tc) 4.2W(Tc) 6-TSOP
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A(Ta),8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
21 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
118 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4085 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
4.2W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-TSOP
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
基本产品编号
SI3429

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SI3429EDV-T1-GE3TR
SI3429EDV-T1-GE3CT
SI3429EDV-T1-GE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SI3429EDV-T1-GE3

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价格

数量: 3000
单价: $1.06054
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $1.15695
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 剪切带(CT)
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