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GermanySPB12N50C3ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
SPB12N50C3ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 560V 11.6A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 560 V 11.6A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
560 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
380 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
49 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1200 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
SPB12N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SPB12N50C3XT
SPB12N50C3INTR-ND
SPB12N50C3-ND
SPB12N50C3ATMA1CT
SPB12N50C3INCT
SPB12N50C3INDKR
SPB12N50C3ATMA1DKR
SPB12N50C3
SP000014894
SPB12N50C3INTR
2156-SPB12N50C3ATMA1-ITTR
INFINFSPB12N50C3ATMA1
SPB12N50C3INDKR-ND
SPB12N50C3ATMA1TR
SPB12N50C3INCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPB12N50C3ATMA1
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规格书
1(SPB12N50C3)
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
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HTML 规格书
1(SPB12N50C3)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 500V C3 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPB60R199CPATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,000
单价. : ¥36.57000
替代类型. : 直接
库存 : 1,000
单价. : ¥36.57000
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型号 : STB14NK50ZT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥35.14000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥35.14000
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型号 : STB11NK50ZT4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 111
单价. : ¥25.60000
替代类型. : 类似
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型号 : STB13N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 5,166
单价. : ¥18.68000
替代类型. : 类似
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替代类型. : 类似
型号 : IXTA16N50P
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥33.27680
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥33.27680
替代类型. : 类似
型号 : STB18NM80
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥37.44000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥37.44000
替代类型. : 类似