元器件型号详细信息

原厂型号
BUK653R4-40C,127
摘要
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
详情
通孔 N 通道 40 V 100A(Tc) 204W(Tc) TO-220AB
原厂/品牌
NXP USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
NXP USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.6 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
125 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
8020 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
204W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
BUK65

相关信息

RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-BUK653R4-40C127
568-7496-5
BUK653R4-40C,127-ND
NEXNXPBUK653R4-40C,127
934064252127
BUK653R440C127

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/NXP USA Inc. BUK653R4-40C,127

相关文档

规格书
1(BUK653R4-40C)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 封装
1(All Dev Label Update 15/Dec/2020)
HTML 规格书
1(BUK653R4-40C)

价格

-

替代型号

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