元器件型号详细信息

原厂型号
FGB20N60SFD
摘要
IGBT 600V 40A 208W D2PAK
详情
IGBT 场截止 600 V 40 A 208 W 表面贴装型 D²PAK(TO-263)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
IGBT 类型
场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.8V @ 15V,20A
功率 - 最大值
208 W
开关能量
370µJ(开),160µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
65 nC
25°C 时 Td(开/关)值
13ns/90ns
测试条件
400V,20A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
34 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK(TO-263)
基本产品编号
FGB20N60

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

FGB20N60SFD-ND
FGB20N60SFDTR
FGB20N60SFDDKRINACTIVE
FGB20N60SFDDKR-ND
FGB20N60SFDDKR
FGB20N60SFDCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi FGB20N60SFD

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1(FGB20N60SFD)
环保信息
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1(FGB20N60SFD)

价格

-

替代型号

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型号 : IGB20N60H3ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
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