元器件型号详细信息

原厂型号
IPP60R125CPXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
详情
通孔 N 通道 650 V 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
125 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
70 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2500 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
208W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP60R125

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

2156-IPP60R125CPXKSA1
IPP60R125CPX
IPP60R125CP-ND
IPP60R125CPXK
IPP60R125CP
SP000088488
INFINFIPP60R125CPXKSA1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IPP60R125CPXKSA1

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1(IPP60R125CP)
仿真模型
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价格

数量: 2000
单价: $30.39743
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $31.56653
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1

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