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GermanyNTMS4920NR2G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTMS4920NR2G
摘要
MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 10.6A（Ta） 820mW（Ta） 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.3 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
58.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4068 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
820mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
NTMS4920
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NTMS4920NR2G-ND
NTMS4920NR2GOSTR
ONSONSNTMS4920NR2G
2156-NTMS4920NR2G-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTMS4920NR2G
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规格书
1(NTMS4920N)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 01/Oct/2021)
PCN 封装
1(Mult MSL1 Pkg Chg 20/Dec/2018)
HTML 规格书
1(NTMS4920N)
EDA 模型
1(NTMS4920NR2G by Ultra Librarian)
价格
-
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