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GermanyFCPF850N80Z
元器件型号详细信息
原厂型号
FCPF850N80Z
摘要
MOSFET N-CH 800V 6A TO220F
详情
通孔 N 通道 800 V 6A（Tc） 28.4W（Tc） TO-220F-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
SuperFET® II
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
850 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1315 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
28.4W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FCPF850
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-FCPF850N80Z-OS
ONSONSFCPF850N80Z
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCPF850N80Z
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规格书
1(FCPF850N80Z)
环保信息
()
特色产品
1(Cloud Systems Computing)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Assembly/Test Site 14/Dec/2022)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
EDA 模型
1(FCPF850N80Z by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
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