SIHP21N65EF-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SIHP21N65EF-GE3

摘要

MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB

详情

通孔 N 通道 650 V 21A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

69 周

EDA/CAD 模型

标准包装

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

21A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

180 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

106 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2322 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

208W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

SIHP21

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHP21N65EF-GE3

价格

数量: 2000

单价: $18.58481
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $19.56296
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $23.19606
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $27.2483
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $33.254
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $37.05
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : FCP190N60-GF102

制造商 : onsemi
库存 : 787
单价. : ¥22.98000
替代类型. : 直接

型号 : FCP190N60E

制造商 : onsemi
库存 : 100
单价. : ¥31.80000
替代类型. : 直接

型号 : TPH3206PSB

制造商 : Transphorm
库存 : 96
单价. : ¥77.19000
替代类型. : 类似

型号 : STP31N65M5

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,116
单价. : ¥33.71000
替代类型. : 类似

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库存 : 190
单价. : ¥32.04000
替代类型. : 类似

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制造商 : STMicroelectronics
库存 : 23
单价. : ¥22.98000
替代类型. : 类似

型号 : FCP190N65F

制造商 : onsemi
库存 : 800
单价. : ¥36.09000
替代类型. : 类似

型号 : STP24N60DM2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 165
单价. : ¥28.06000
替代类型. : 类似

型号 : AOT27S60L

制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 6
单价. : ¥31.88000
替代类型. : 类似

型号 : STP28N65M2

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 950
单价. : ¥27.67000
替代类型. : 类似

DW-10-14-T-S-1150-003 AX7MBF2-1090.0000 EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR SXT22410BB48-38.400M R574493485

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