元器件型号详细信息

原厂型号
RN1418,LF
摘要
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置) NPN - 预偏压 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW 表面贴装型 S-Mini
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
电阻器 - 基极 (R1)
47 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)
10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
50 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
300mV @ 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
250 MHz
功率 - 最大值
200 mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
S-Mini
基本产品编号
RN1418

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

其它名称

RN1418,LF(B
RN1418LFCT
RN1418LFTR-ND
264-RN1418,LFTR
RN1418LFDKR
264-RN1418,LFCT
RN1418LFDKR-ND
264-RN1418,LFDKR
RN1418LFCT-ND
RN1418LFTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极(BJT)/单,预偏置双极晶体管/Toshiba Semiconductor and Storage RN1418,LF

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规格书
1(RN1414 - RN1418 Datasheet)
EDA 模型
1(RN1418,LF by Ultra Librarian)

价格

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