IPB35N10S3L26ATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

IPB35N10S3L26ATMA1

摘要

MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 100 V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-3

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

35A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

26.3 毫欧 @ 35A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 39µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

39 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

2700 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

71W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

IPB35N10

其它名称

448-IPB35N10S3L26ATMA1TR

SP000776044

448-IPB35N10S3L26ATMA1DKR

IPB35N10S3L26ATMA1-ND

448-IPB35N10S3L26ATMA1CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB35N10S3L26ATMA1

价格

数量: 10000

单价: $7.3334
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 5000

单价: $7.52638
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 2000

单价: $7.81588
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $8.39484
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $10.13158
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $12.3314
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $15.343
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $17.09
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $10.13158
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $12.3314
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $15.343
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $17.09
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : BUK9629-100B,118

制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 1,728
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 类似

型号 : HUF76639S3ST

制造商 : onsemi
库存 : 6
单价. : ¥18.52000
替代类型. : 类似

MTSW-111-08-F-D-275 MT2/V-441-450 1808Y2500823KDR 2106124-9 151-02051

IPB35N10S3L26ATMA1

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