English
Spain
Rusia
Italy
GermanySTP18NM60N
元器件型号详细信息
原厂型号
STP18NM60N
摘要
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
详情
通孔 N 通道 600 V 13A（Tc） 110W（Tc） TO-220
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
285 毫欧 @ 6.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1000 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP18
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-10305-5
-497-10305-5
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STP18NM60N
相关文档
规格书
1(STx18NM60N)
其他相关文档
1(STP18NM60N View All Specifications)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Plating Process 13/Dec/2018)
HTML 规格书
1(STx18NM60N)
EDA 模型
()
价格
数量: 5000
单价: $9.58523
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $9.95392
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $10.69119
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $12.90316
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $15.705
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $19.541
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $21.78
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : IPP60R299CPXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 500
单价. : ¥27.03000
替代类型. : 类似
库存 : 500
单价. : ¥27.03000
替代类型. : 类似
型号 : IXTP20N65X
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥51.13007
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥51.13007
替代类型. : 类似
型号 : IPP60R280C6XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,490
单价. : ¥22.74000
替代类型. : 类似
库存 : 3,490
单价. : ¥22.74000
替代类型. : 类似
型号 : FCP260N60E
制造商 : onsemi
库存 : 191
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 类似
库存 : 191
单价. : ¥25.68000
替代类型. : 类似
型号 : FCP13N60N
制造商 : onsemi
库存 : 747
单价. : ¥36.01000
替代类型. : 类似
库存 : 747
单价. : ¥36.01000
替代类型. : 类似