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GermanyTSM7NC65CF C0G
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM7NC65CF C0G
摘要
MOSFET N-CH 650V 7A ITO220S
详情
通孔 N 通道 650 V 7A（Tc） 44.6W（Tc） ITO-220S
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.35 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1169 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
44.6W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
ITO-220S
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
TSM7
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM7NC65CFC0G
TSM7NC65CF C0G-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM7NC65CF C0G
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规格书
1(TSM7NC60CF)
环保信息
()
HTML 规格书
1(TSM7NC60CF)
EDA 模型
1(TSM7NC65CF C0G by SnapEDA)
价格
数量: 8000
单价: $11.96683
包装: 管件
最小包装数量: 8000
包装: 管件
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