English
Spain
Rusia
Italy
GermanyVS-GA100TS60SF
元器件型号详细信息
原厂型号
VS-GA100TS60SF
摘要
IGBT MOD 600V 220A INT-A-PAK
详情
IGBT 模块 PT 半桥 600 V 220 A 780 W 底座安装 INT-A-PAK
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
散装
Product Status
停产
IGBT 类型
PT
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
220 A
功率 - 最大值
780 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.28V @ 15V，100A
电流 - 集电极截止（最大值）
1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
16.25 nF @ 30 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
INT-A-Pak
供应商器件封装
INT-A-PAK
基本产品编号
GA100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA100TS60SF
相关文档
规格书
1(VS-GA100TS60SFPbF)
价格
-
替代型号
-