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元器件型号详细信息
原厂型号
STH250N55F3-6
摘要
MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 180A（Tc） 300W（Tc） H²PAK
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
STripFET™ III
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
H²PAK
封装/外壳
TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片）
基本产品编号
STH250
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
STH250N55F36
497-11309-6
-497-11309-6
-497-11309-2
497-11309-2
-497-11309-1
497-11309-1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STH250N55F3-6
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规格书
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产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
视频文件
1(Motor Control in Electric Vehicles)
PCN 产品变更/停产
1(IPD/15/9345 04/Aug/2015)
HTML 规格书
1(STH250N55F3-6)
EDA 模型
1(STH250N55F3-6 by Ultra Librarian)
价格
数量: 500
单价: $27.44942
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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单价: $32.2448
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最小包装数量: 1
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