元器件型号详细信息

原厂型号
CSD17312Q5
摘要
MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 38A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
38A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
3V,8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 毫欧 @ 35A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
36 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
+10V,-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5240 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.2W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-VSON-CLIP(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
CSD17312

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

296-27613-2
TEXTISCSD17312Q5
296-27613-1
296-27613-6
-296-27613-1-ND
-CSD17312Q5-NDR
2156-CSD17312Q5

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Texas Instruments CSD17312Q5

相关文档

规格书
1(CSD17312Q5)
产品培训模块
()
视频文件
()
特色产品
()
PCN 设计/规格
1(Qualification Revision A 01/Jul/2014)
PCN 组装/来源
1(Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015)
PCN 封装
1(MSL1 Bubble Bag Conversion 24/Sep/2013)
制造商产品页面
1(CSD17312Q5 Specifications)
HTML 规格书
1(CSD17312Q5)
EDA 模型
()

价格

数量: 5000
单价: $8.07415
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $8.38468
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $9.00577
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $10.869
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $13.2289
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $16.456
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $18.28
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $9.00577
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $10.869
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数量: 100
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数量: 10
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数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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