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元器件型号详细信息
原厂型号
71V35761SA200BGGI
摘要
IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA
详情
SRAM - 同步，SDR 存储器 IC 4.5Mb 并联 200 MHz 3.1 ns 119-PBGA（14x22）
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
84
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
SRAM
技术
SRAM - 同步，SDR
存储容量
4.5Mb
存储器组织
128K x 36
存储器接口
并联
时钟频率
200 MHz
写周期时间 - 字，页
-
访问时间
3.1 ns
电压 - 供电
3.135V ~ 3.465V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
119-BGA
供应商器件封装
119-PBGA（14x22）
基本产品编号
71V35761S
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
IDT71V35761SA200BGGI
IDT71V35761SA200BGGI-ND
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Renesas Electronics America Inc 71V35761SA200BGGI
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规格书
()
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 28/Oct/2013)
PCN 设计/规格
1(All Dev Label Chg 1/Dec/2022)
HTML 规格书
1(IDT Suffixes)
价格
-
替代型号
型号 : 71V3577S75BGGI
制造商 : Renesas Electronics America Inc
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型号 : 71V3577S80BGGI
制造商 : Renesas Electronics America Inc
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