English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRL2203STRR
元器件型号详细信息
原厂型号
IRL2203STRR
摘要
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 100A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
110 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），130W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IRL2203
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix IRL2203STRR
相关文档
规格书
1(IRL2203S)
HTML 规格书
1(IRL2203S)
价格
-
替代型号
-