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GermanyIRF3808STRLPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF3808STRLPBF
摘要
MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 75 V 106A（Tc） 200W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
12 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
106A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 82A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
220 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5310 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IRF3808
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF3808STRLPBFCT
IRF3808STRLPBFDKR
IRF3808STRLPBFTR
SP001559612
IRF3808STRLPBF-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF3808STRLPBF
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规格书
1(IRF3808(S,L)PbF)
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1(Data Processing Systems)
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1(IRF3808(S,L)PbF)
EDA 模型
1(IRF3808STRLPBF by Ultra Librarian)
价格
数量: 2400
单价: $15.40138
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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最小包装数量: 800
数量: 1600
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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最小包装数量: 800
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替代型号
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