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GermanyZXMN10A11GTA
元器件型号详细信息
原厂型号
ZXMN10A11GTA
摘要
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 1.7A（Ta） 2W（Ta） SOT-223-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
350 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
274 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-3
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
ZXMN10
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ZXMN10A11GCT-NDR
ZXMN10A11GDKR
ZXMN10A11GDKRINACTIVE
ZXMN10A11GDKR-ND
ZXMN10A11GTR
ZXMN10A11GTR-NDR
Q3847650I
ZXMN10A11GCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated ZXMN10A11GTA
相关文档
规格书
1(ZXMN10A11G)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(Date Code Mark Update 13/Jan/2015)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Site 31/Mar/2021)
价格
数量: 25000
单价: $1.93076
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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替代型号
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