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Germany1N5260BDO35
元器件型号详细信息
原厂型号
1N5260BDO35
摘要
DIODE ZENER 43V 500MW DO35
详情
二极管 - 齐纳 43 V 500 mW ±5% 通孔 DO-35
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
43 V
容差
±5%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
93 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
100 nA @ 33 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 200 mA
工作温度
-65°C ~ 175°C
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AH，DO-35，轴向
供应商器件封装
DO-35
基本产品编号
1N5260
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
1N5260BDO35MSTR
150-1N5260BDO35TR
1N5260DO35MSCT-ND
1N5260B(DO-35)MSTR
1N5260B(DO-35)MSCT-ND
1N5260BMSTR-ND
1N5260B(DO-35)MSTR-NDR
1N5260DO35
1N5260DO35MSTR-ND
1N5260BDO35MSCT
1N5260BMSCT
1N5260DO35MSCT
1N5260B(DO-35)MSCT-NDR
1N5260B(DO-35)MSCT
150-1N5260BDO35CT
1N5260BDO35MSTR-NDR
1N5260DO35MSTR
1N5260BDO35MSCT-ND
1N5260BMSCT-ND
1N5260BDO35MSCT-NDR
1N5260BDO35MSTR-ND
1N5260B(DO-35)MSTR-ND
1N5260BMSTR
1N5260BDO3
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Microsemi Corporation 1N5260BDO35
相关文档
规格书
1(1N5221 - 1N5281B, e3 DO-35)
环保信息
()
价格
-
替代型号
-